包括光伏逆變器、電氣驅動裝置、UPS及HVDC在內的功率轉換系統，需要柵極驅動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統正常運行。這類產品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案。

小型輔助電源用SiC MOSFET

圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓需要達到1300V。為了確保安全，需要一定的電壓余量，因此一般來講至少需要使用額定電壓1500V的產品。當然也可以使用具有同樣絕緣擊穿電壓的Si MOSFET，但損耗將變大，故而需要昂貴且厚重的散熱器。

圖1. 普通反激式轉換器方式的輔助電源拓撲

另外還有使用更復雜的拓撲結構(雙端反激式轉換器方式、低電壓器件串聯等)而不使用1500V MOSFET的做法。但是，這些做法不僅會增加設計難度，還會使部件數量增加。

如果使用特定導通電阻僅為1500V Si-MOSFET的1/2(參見圖2)的1700V SiC-MOSFET，則輔助電源的設計者們將能夠使用簡單的單端反激式轉換器的拓撲，從而獲得小巧的身材和良好的性能。ROHM擁有完全塑封的TO-3PFM封裝以及表面貼裝型封裝(TO-268-2L)技術，并提供適用于此類應用的高耐壓SiC-MOSFET。這些產品的特點是分別可確保5mm和5.45m的爬電距離。

圖2. 特定導通電阻條件下的Si和SiC MOSFET性能比較

極具性價比且實現SiC單端反激式拓撲結構的控制IC

采用了SiC-MOSFET的反激式轉換器的輔助電源解決方案，因采用了ROHM的控制IC而更具魅力和吸引力。這種控制IC的設計利用反激式轉換器安全可靠地驅動SiC-MOSFET，而且不會因柵極驅動器IC而變得復雜。

ROHM針對目前可入手的幾款SiC-MOSFET，開發出特別滿足各元器件柵極驅動所需條件的準諧振AC/DC轉換器控制IC“BD768xFJ”并已實施量產。這款控制IC與ROHM的1700V耐壓SiC-MOSFET相結合，可以最大限度地發揮產品的效率與性能。BD768xFJ不僅可控制所有的反激式電路，還能夠以適當的柵極電壓驅動SiC-MOSFET，從而保證最佳性能。此外，還可通過柵極箝位功能和過載保護功能來保護SiC-MOSFET。

BD768xFJ這款控制IC，采用小型SOP8-J8封裝，具備電流檢測用的外置分流電阻和過負載、輸入欠壓、輸出過電壓保護等保護功能以及軟啟動等功能。搭載了準諧振開關，以在全部工作范圍內將EMI抑制在最低水平，并降低開關損耗。另外，為了優化在低負載范圍的工作，控制器還安裝了突發模式工作和降頻功能。

下圖中是采用了BD768xFJ控制IC和ROHM生產的1700V耐壓SiC-MOSFET的輔助電源的主要電路，簡單而又高性能。

圖3. 使用了BD768xFJ控制IC和1700V耐壓SiC-MOSFET的輔助電源電路

使用了SiC-MOSFET的輔助電源的性能

ROHM為了便于對使用了SiC-MOSFET的簡單輔助電源的性能進行評估而專門開發了評估板(參見圖4)。這款評估板為了在準諧振開關AC/DC轉換器中驅動1700V耐壓SiC-MOSFET“SCT2H12NZ”而使用了BD768xFJ-LB。準諧振工作有助于將開關損耗控制在最低并抑制EMI。電流檢測通過外置的電阻器進行。另外，通過使用輕負載時的突發模式工作和降頻功能，還可實現節能化與高效化。

圖4. 使用了SiC-MOSFET的輔助電源單元用評估板

SiC-MOSFET的開關波形如圖5所示。通過不同輸出負載的波形可以看出在接通SiC-MOSFET時諧振漏源電壓如何變化。采用準諧振工作，可最大限度地降低開關損耗和EMI。輕負載時(Pout = 5W時，左圖)的突發工作模式結束后，轉為準諧振工作模式。通過跳過很多波谷來控制頻率。當輸出負載増加(Pout = 20W時，中圖)時，波谷數量減少，頻率上升。當接近規定的最大輸出負載(在這種情況下Pout = 40W，右圖)時，將只有一個波谷。此時，開關頻率達到最大值120kHz。