暗電流，維基百科的解釋是：當沒有光子通過光感測器（例如光電倍增管、光電二極管及感光耦合元件）時，元件上仍然會產生的微小電流。在非光學元件中稱為逆向偏壓時的漏電流，在所有二極管中都存在。暗電流形成的原因是元件中耗盡層中電子以及空穴隨機產生所造成的。這個解釋有幾個重點：1. 無光環境、反向偏壓、漏電流；2. 任何二極管都存在暗電流；3. 暗電流屬于元件的熱噪聲，隨機產生、無法消除。通俗一點：首先，這個電流并非來自外界的光子產生的，而是來自元件內部的熱噪聲；其次，任何二極管都有一個理論特性即正向導通、反向截止，但現實中的二極管元件，反向不可能做到真正的截止（反向飽和電流為0），最后暗電流是沒辦法完全消除，只能通過TEC或者液氮降溫的方式來減小。

一般來說暗電流都很小，基本都在uA和nA量級，而在工業領域，暗電流測試屬于必測項，該測試指標主要是用來判斷二極管元件是否擊穿以及晶圓工藝是否存在問題。那這么小的暗電流，我們該如何準確、可靠的測量呢？有人說用一般的萬用表或者安培表就可以了，真的可以嗎？其實小電流的測試并沒有說的那么簡單，還是需要克服很多難點，我這里就簡單列舉最主要的幾個難點：

1.電流表在測試時如何克服電流表帶來的輸入端壓降（Voltage Burden）

萬用表測量mA以上的電流時，電流表的內阻基本可以忽略不計，但小電流的量級基本都在uA甚至nA級別，此時電流表的內阻就不能忽略不計了，而電流表內阻會帶來壓降，這個壓降就稱之為“輸入端壓降（voltage burden）”，這個指標的大小直接會影響電流的測量精度（如圖-1所示）：

圖-1

舉個例子：假設Vs=0.7V、Is=100uA、Ifs=200uA、Rs=10KΩ、然后輸入端壓降為200mV：

那計算出來IM=（0.7V-0.2V（100uA/200uA））/10KΩ= 60uA

而理想情況下IM=0.7/10KΩ=70uA，則測試誤差=14%；

如果把輸入端壓降減小到200uV,  那整個測試IM=69.99uA  則測試誤差=0.01%；

結論：通過上面一個簡單的例子就可以說明，電流表的輸入端壓降會直接影響電流表的測量精度，輸入端壓降越大，電流的測量誤差就越大，而輸入端壓降越小，測量誤差就越小。

2.如何在測量電流的時候添加一個合適的反向偏壓（Bias Voltage）

常用的萬用表都只能解決測量的問題，但目前很多暗電流的測試都需要提供一個反向偏壓，為什么要加偏壓？一方面偏壓可以加速電子和空穴的遷移過程，減少電子和空穴的復合率，從而提高量子效率和響應時間；但是反向電壓也不能無限制的增加，過大的偏壓有可能會導致二極管的反向擊穿等；另一方面，很多二極管屬于雪崩二極管如APD，它們本身需要一定的偏壓才能達到工作條件，形成雪崩效應，縱觀目前的電流表和萬用表，都不具備提供偏壓的功能，因此必須在電流表的回路中加入電壓源，這樣會使測試系統變得復雜，引入更多干擾條件，導致整個暗電流的測試精度無法保證。

那相關行業（如LED/PD行業）在暗電流（帶偏壓）測試上都采用什么設備來進行測試呢？通過對幾個行業的調研和走訪，發現目前暗電流測試主要有兩種選擇：

（1）SMU源測單元，一方面利用它的電壓源功能，可以完成反向偏壓的掃描，另一方面同時利用它的測量功能，完成小電流的測試，這個方案的優點是電壓掃描范圍大，最高可到幾百伏，而電流的測量功能也能基本滿足nA級別的測試要求，缺點則是SMU的單價比較高，相對而言性價比就沒那么高了。

Keithley SMU 2600

（2）另一種采用高精度的DMM或者皮安表，這兩個產品都屬于測量設備，可以用于暗電流測試，電流的測試精度甚至可以達到pA級別，產品的優點是價格適中，測量精度較高；但這兩個產品的缺點是1）無法提供偏壓，只能完成無偏壓環境下的暗電流測試，2）高精度萬用表的輸入端壓降（voltage burden）比較高，會影響小電流的測試精度。

目前5G大基建如火如荼，光通信行業呈現爆發式增長，帶寬和速度越來越快，不管是無源的光網絡如FTTx、光纖光纜，還是有源的光收發模塊、光芯片等等都對PD端的靈敏度提出了越來越高的要求，那么，靈敏度的提升必然對暗電流的要求也越來越苛刻，通過查閱很多規格書，相當一部分的暗電流測試的要求都明確要求暗電流≤1nA，有的甚至要求≤幾百pA，同時偏壓要求在5-15V之間，有的電壓要求≥100V, 這對于DMM和皮安表來說基本無能為力。