為了增加匹配網絡中微帶線的寬度以便利于加工，在耦合器的接地面加入5個串聯的“啞鈴型”缺陷地結構（DGS），如圖3所示，其中灰色部分為金屬覆蓋面，空白處為刻蝕處，圖4所示為耦合器正面示意圖。參考文獻中對“啞鈴型”缺陷地給出了詳細的理論分析，通過刻蝕缺陷圖案，可以改變電路襯底材料有效介電常數的分布，從而改變微帶線的分布電感和分布電容，使得由DGS構成的微帶線具有帶阻特性和慢波特性。通過優化，最終DGS的寬度為2.5 mm，總長度為35 mm。
1.3 耦合器的結構
針對我國LTE移動通信有TD-LTE和FDD-LTE兩種制式并具有1.8 GHz、2.3 GHz、2.6 GHz等多個頻段的特點，所設計的耦合器得覆蓋1.75 GHz~2.7 GHz頻段。根據參考文獻的分析，采用厚度h=0.8 mm的FR4介質作為基片。耦合器結構如圖5，其尺寸為L×W=28.7 mm×104.3 mm。其各部件的具體尺寸如表1。
1.3 耦合器的結構
針對我國LTE移動通信有TD-LTE和FDD-LTE兩種制式并具有1.8 GHz、2.3 GHz、2.6 GHz等多個頻段的特點，所設計的耦合器得覆蓋1.75 GHz~2.7 GHz頻段。根據參考文獻的分析，采用厚度h=0.8 mm的FR4介質作為基片。耦合器結構如圖5，其尺寸為L×W=28.7 mm×104.3 mm。其各部件的具體尺寸如表1。
