上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（“華虹宏力”）作為全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠，在上海擁有3條200mm生產(chǎn)線，月產(chǎn)能約17萬(wàn)片，工藝節(jié)點(diǎn)覆蓋1.0微米至90納米，200mm晶圓制造能力在中國(guó)名列前茅。其前身為久負(fù)盛名的上海華虹NEC和上海宏力半導(dǎo)體，作為“909”工程的載體，華虹宏力的發(fā)展可謂中國(guó)晶圓代工的一面旗幟。
近日，華虹宏力執(zhí)行副總裁范恒先生接受了記者的采訪，他表示，“在嵌入式非易失性存儲(chǔ)器、電源管理、功率器件、標(biāo)準(zhǔn)邏輯及射頻（RF）、模擬和混合信號(hào)等領(lǐng)域，華虹宏力已形成頗具競(jìng)爭(zhēng)力的先進(jìn)工藝平臺(tái)。現(xiàn)在，除了繼續(xù)鞏固上述領(lǐng)先的特色工藝，我們還有足夠的能力在差異化需求中找到新的高成長(zhǎng)市場(chǎng)，公司在物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子、綠色能源等應(yīng)用領(lǐng)域重點(diǎn)突進(jìn)，持續(xù)創(chuàng)造新的利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)。”
據(jù)范恒先生介紹，從現(xiàn)有營(yíng)收情況看，以智能卡和微控制器（MCU）應(yīng)用為主的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器工藝平臺(tái)的銷(xiāo)售額占比超過(guò)公司年?duì)I收的三分之一。為此，華虹宏力在保持智能卡市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，也在積極深入更多前景向好、適合公司未來(lái)發(fā)展的新興市場(chǎng)。現(xiàn)在公司已經(jīng)積極布局物聯(lián)網(wǎng)引領(lǐng)的MCU市場(chǎng)，同時(shí)，功率半導(dǎo)體和高壓器件也是華虹宏力主要的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)點(diǎn)。
穩(wěn)固嵌入式存儲(chǔ)器及功率器件技術(shù)優(yōu)勢(shì)
華虹宏力擁有業(yè)界領(lǐng)先的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，包括SonOS Flash和SuperFlash技術(shù)，以及eFlash+高壓和eFlash+射頻兩個(gè)衍生工藝平臺(tái)。還可為客戶(hù)提供高性能、高密度的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，并可根據(jù)客戶(hù)需求定制高速度、低功耗、超低靜態(tài)功耗的嵌入式閃存（Flash）IP、嵌入式電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）IP。華虹宏力是世界第一大智能卡IC代工廠，采用公司eNVM技術(shù)制造的金融IC卡芯片產(chǎn)品分別通過(guò)了EMVCo、CC EAL5+、萬(wàn)事達(dá)CQM認(rèn)證等多項(xiàng)國(guó)際權(quán)威認(rèn)證。隨著90納米eNVM工藝的成功量產(chǎn)，華虹宏力的智能卡產(chǎn)能正逐步導(dǎo)入到90納米平臺(tái)。
萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代，MCU不斷推陳出新，為順應(yīng)市場(chǎng)需求，華虹宏力專(zhuān)為物聯(lián)網(wǎng)打造了0.11微米超低漏電（ULL）嵌入式eFlash及eEEPROM工藝平臺(tái)，將eNVM技術(shù)與CMOS射頻集成及/或高壓技術(shù)結(jié)合。響應(yīng)市場(chǎng)對(duì)高性?xún)r(jià)比的呼喚，華虹宏力還推出了95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲(chǔ)器，包括eFlash、eEEPROM、OTP工藝平臺(tái)，助力客戶(hù)在龐大的MCU應(yīng)用市場(chǎng)提高競(jìng)爭(zhēng)力。此外，公司還在加速研發(fā)95納米的低本高效MTP（Multiple-Time Programming）工藝平臺(tái)。
在生產(chǎn)功率器件方面，華虹宏力擁有15年的歷史，是業(yè)內(nèi)首個(gè)擁有深溝槽超級(jí)結(jié)（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）及場(chǎng)截止型IGBT（Field Stop，F(xiàn)S IGBT）工藝平臺(tái)的200mm晶圓代工廠。高效能的功率半導(dǎo)體器件是降低功耗的關(guān)鍵，已引起了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的矚目，華虹宏力的布局不可謂不充分。“我們致力于為客戶(hù)提供更高端的功率器件技術(shù)解決方案，公司現(xiàn)已推出第三代DT-SJ工藝平臺(tái)，每單元區(qū)域?qū)娮瑁≧sp）為1.2ohm.mm2，技術(shù)參數(shù)達(dá)業(yè)界一流水平。”范恒先生說(shuō)，“華虹宏力還是國(guó)內(nèi)唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工廠，能為綠色能源應(yīng)用提供從低功率到高功率的全系列解決方案。”目前，華虹宏力的功率器件平臺(tái)累計(jì)出貨量已突破500萬(wàn)片晶圓。
深度拓展射頻和電源管理IC市場(chǎng)
RF SOI是絕緣體上硅（SOI）技術(shù)的RF版本，該工藝?yán)昧藘?nèi)置隔離襯底的高電阻率特性。RF SOI在應(yīng)用上有幾個(gè)比較明顯的優(yōu)勢(shì)，一是它的設(shè)計(jì)周期短，且簡(jiǎn)單易用。最主要的是它能做到較低功耗。現(xiàn)在，智能手機(jī)、WiFi等無(wú)線通信設(shè)備中的射頻器件絕大多數(shù)都使用了RF SOI制造工藝。華虹宏力推出的0.2微米射頻SOI工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），非常利于工程師提高設(shè)計(jì)流程效率，從而快速獲得優(yōu)質(zhì)的射頻組件，縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間。范恒先生表示：“接下來(lái)公司還將繼續(xù)開(kāi)發(fā)射頻相關(guān)技術(shù)，如0.13微米射頻SOI，以應(yīng)對(duì)智能手機(jī)出貨量的持續(xù)增長(zhǎng)及未來(lái)5G移動(dòng)通信的發(fā)展及應(yīng)用。”
