（1）屏蔽 > 模型：
屏蔽效能SE(dB)＝反射損耗R(dB)＋吸收損耗A(dB)
高頻射頻屏蔽的關鍵是反射，吸收是低頻磁場屏蔽的關鍵機理。
（2）工作頻率低于1MHz時，噪聲一般由電場或磁場引起，(磁場引起時干擾，一般在幾百赫茲以內)，1MHz以上，考慮電磁干擾。單板上的屏蔽實體包括變壓器、傳感器、放大器、DC/DC模塊等。更大的涉及單板間、子架、機架的屏蔽。
（3）靜電屏蔽不要求屏蔽體是封閉的，只要求高電導率材料和接地兩點。電磁屏蔽不要求接地，但要求感應電流在上有通路，故必須閉合。磁屏蔽要求高磁導率的材料做 封閉的屏蔽體，為了讓渦流產生的磁通和干擾產生的磁通相消達到吸收的目的，對材料有厚度的要求。高頻情況下，三者可以統一，即用高電導率材料(如銅)封閉并接地。
（4）對低頻，高電導率的材料吸收衰減少，對磁場屏蔽效果不好，需采用高磁導率的材料（如鍍鋅鐵）。
（5）磁場屏蔽還取決于厚度、幾何形狀、孔洞的最大線性尺寸。
