圖5調(diào)試后2.55GHz近場(chǎng)輻射結(jié)果

接下來(lái)針對(duì)2.2GHz頻點(diǎn)處輻射雜散的裕量不足，可先用N9311X 套件中的低靈敏度磁場(chǎng)環(huán)形探針以及來(lái)掃描及點(diǎn)測(cè)手機(jī)的近場(chǎng)雜訊，如圖6所示發(fā)現(xiàn)該頻率以及750MHz的信號(hào)最強(qiáng)近場(chǎng)輻射區(qū)域集中在PCB的下半部分其中一個(gè)電源網(wǎng)絡(luò)，此電源網(wǎng)絡(luò)會(huì)經(jīng)過(guò)較多高頻成分的芯片以及雜訊較多的LED以及按鍵區(qū)域。經(jīng)過(guò)查閱電源和芯片文檔得知其開(kāi)關(guān)頻率的大約為1.9M，該頻率成分的電源噪聲會(huì)在調(diào)制過(guò)程中頻移到信號(hào)頻率兩側(cè)。然而由于使用較低靈敏度的探頭智能確定處板上下半部分都是可能的輻射雜散信號(hào)源，卻無(wú)法定位精確的位置。此時(shí)我們需要進(jìn)一步使用套件中精度更高的磁場(chǎng)環(huán)形探頭或者垂直向磁場(chǎng)探頭來(lái)確定最強(qiáng)區(qū)域。最終發(fā)現(xiàn)在750MHz+/-17MHz在紅色框標(biāo)示區(qū)域最強(qiáng)。測(cè)試結(jié)果請(qǐng)參考圖7所示，此處750MHz附近的近場(chǎng)輻射為-83.21dBm，2.25GHz處最大近場(chǎng)輻射為-44.18dBm。

圖7  調(diào)試前750MHz及2.25GHz近場(chǎng)輻射測(cè)試結(jié)果

由于2.25GH大約是750MHz的三次諧波，因此我們首先針對(duì)750MHz做濾波設(shè)計(jì)。為了克服這種干擾應(yīng)該對(duì)基帶信號(hào)加以濾波，阻止高頻成分傳播和搬移。如圖8所示是一種推薦電路，其中電容C1、C2和L2可作為備選，將此電路加在圖6黃色框圖標(biāo)示的電源入射端口附近做濾波。

采用此濾波方案后的再進(jìn)行近場(chǎng)掃描Max Hold的結(jié)果可參考圖9所示近場(chǎng)輻射結(jié)果，此處750MHz附近的近場(chǎng)輻射已經(jīng)下降到了-92.42dBm，2.25GHz處最大近場(chǎng)輻射下降到了-53.08dBm：

圖9  調(diào)試后750MHz及2.25GHz近場(chǎng)輻射測(cè)試結(jié)果

最后我們?cè)龠M(jìn)入暗室完成一次全頻帶范圍內(nèi)的輻射雜散掃描和傳導(dǎo)掃描，最終結(jié)果請(qǐng)參考圖10和圖11所示。可以看出輻射雜散結(jié)果有明顯改善，同時(shí)傳導(dǎo)輻射也有所改善。

圖11  調(diào)試后傳導(dǎo)輻射測(cè)試結(jié)果