就可靠性而言，碳化硅 MOSFET 的擊穿電壓高于其數據表規格（見圖 3）。碳化硅 MOSFET 的擊穿裕度可顯示組件在面對瞬態過壓時的穩健性。在低溫下，碳化硅 MOSFET 具有特定擊穿電壓。IGBT 制造商則無法保證零下溫度條件下的擊穿電壓。例如，1200 V IGBT 無法在 -30 °C 時耐受 1200 V。在這個溫度下，必須對設備降額。
圖 3. 碳化硅 MOSFET 的實際擊穿電壓與溫度的關系。圖中顯示了對來自三個不同生產批次的組件（15 個一組）進行的測量。
六、碳化硅晶體管的空間占用更少
碳化硅功率半導體和硅功率半導體之間的一個更顯著的區別在于晶粒尺寸。首先，相比具有同等功率的硅晶體管晶粒，碳化硅晶粒更小。其次，硅晶體管需要使用反向偏壓二極管，才能實現集電極與發射極之間的雙向電流。碳化硅晶體管源-漏溝道可以在任一方向上傳導電流。此外，碳化硅晶體管的晶體管結構中包含寄生體二極管。因此，與硅晶體管不同，碳化硅晶體管不需要額外的二極管。以 1200 V 晶體管為例，碳化硅晶體管的晶粒面積約為硅晶體管晶粒面積的 ?。因此，布置在電源電路中的碳化硅組件所產生的雜散電感更小。總的來說，碳化硅封裝越小，成品的功率密度越大。
七、10000 系列新電源實現的宏大目標
EA 利用碳化硅技術開發了 30 kW 可編程電源，其搭配高度為 4U 的機箱，輸出電壓可達 2000 V。較之于基于硅晶體管的型號，這些產品的優點在于：
1、效率提升了 3%
2、功率密度提高了 37%
3、240 W 電源系統的空間占用減少了 33%
4、240 W 電源系統的發熱量減少了 42%
5、單位能耗成本降低了 15-20%
得益于碳化硅晶體管的更高開關速度，新推出的 10000 系列開關模式交流轉直流轉換器能夠以大約 60 kHz 的頻率工作。其他廠商電源的直流轉直流轉換器的開關頻率約為 30-40 kHz，相比之下，這些交流轉直流轉換器的速度提升了 30%。10000 系列的更高的開關頻率有助于縮減電磁組件和功率放大器的尺寸。不僅電磁組件的質量縮減了 30%，而且設計所需的感性組件也減少了一個，這就節省了寶貴的空間，減少了熱量生成。
