研究背景

隨著我國加快實現“碳達峰、碳中和”的目標，電氣化替代已成為實現目標的關鍵。近年來新能源呈爆發式增長，充電樁作為新能源汽車的基礎配套設備，其數量與質量也是消費者選擇電動汽車的重要影響因素。當前，MOSFET在國內充電樁企業批量應用，是新能源汽車充電樁的“心臟”。

MOSFET即金屬－氧化物－半導體場效應晶體管，簡稱MOS管，主要有三個引腳：漏極、源極和柵極，屬于絕緣柵型，其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻。

為什么要測試MOSFET的好壞？

在充電樁中，開關電源是一種高頻化電能轉換裝置，MOS管可以利用電場效應來控制其電流大小，當使用有故障的MOS管時，會發生漏極到柵極的短路，對電路有害，而MOS管是實現電能高效率轉換，確保充電樁穩定不過熱的關鍵器件，具體測試方案如下：

1、測試對象

（為保護客戶信息安全，圖片來源于網絡，僅供參考）

2、測試要求

VGS:20V左右，VDS：0-1000V，做來料檢測，需要能呈現MOS產品規格書里的C-V特性曲線，測試輸入、輸出、反向傳輸電容。

3、測試過程

MOSFET或IGBT最重要的四個寄生參數：Ciss、Coss、Crss、Rg，Cies、Coes、Cres、Rg均可一鍵測試，TH510系列半導體C-V特性分析儀10.1寸大屏可同時將測量結果、等效電路圖、分選結果等重要參數同時顯示，一目了然。

一鍵測試單管器件器件時，無需頻繁切換測試腳位、測量參數、測量結果，大大提高了測試效率。

列表測試，多個、多芯、模組器件測量參數同屏顯示

TH510系列半導體C-V特性分析儀支持最多6個單管器件、6芯器件或6模組器件測試，所有測量參數通過列表掃描模式同時顯示測試結果及判斷結果。

曲線掃描功能（選件）

在MOSFET的參數中，CV特性曲線也是一個非常重要的指標，如下圖

TH510系列半導體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線分析，可以以對數、線性兩種方式實現曲線掃描，可同時顯示多條曲線：同一參數、不同Vg的多條曲線；同一Vg、不同參數多條曲線。

獨創的接觸檢查（Contact）功能，提前排除自動化測試隱患

在高速測試特別是自動化測試中，經常會由于快速插拔或閉合，造成測試治具或工裝表面磨損而接觸不良，接觸不良造成的最直接后果是誤判測試結果而難以發現，在廢品率突然增加或發出產品故障原因退回時才會發現，因此是一個極大的隱患。