測量逆變器的次級側(cè)比較抗干擾性能：
SiC 功率半導體具有快速的電壓上升/下降響應，其輸出波形包含許多高頻成分。其他公司的分壓器容易受到頻帶外的高頻干擾影響。使用這樣的分壓器可能會錯誤地觀察到實際上并未發(fā)生的大振鈴，使測量誤差變大。
測量逆變器的次級側(cè)比較抗干擾性能：
SiC 功率半導體具有快速的電壓上升/下降響應，其輸出波形包含許多高頻成分。其他公司的分壓器容易受到頻帶外的高頻干擾影響。使用這樣的分壓器可能會錯誤地觀察到實際上并未發(fā)生的大振鈴，使測量誤差變大。
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