超聲波檢測(cè)技術(shù)以其非接觸性、實(shí)時(shí)性和高靈敏度等優(yōu)勢(shì)在無損檢測(cè)、醫(yī)學(xué)超聲、手勢(shì)識(shí)別及水下探測(cè)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，這些應(yīng)用大多要求超聲換能器具有寬頻帶和高聲壓特性，以滿足高分辨率和良好的信噪比需求。一般來說，對(duì)發(fā)射端超聲換能器的輸出功率和能量轉(zhuǎn)換效率要求較高，而對(duì)接收端超聲換能器的靈敏度及帶寬要求較高。
電容式微機(jī)械超聲換能器（CMUT）采用硅基集成電路制造工藝，可制作形成高密度、小尺寸CMUT陣列，同時(shí)具有寬頻帶特性、與水和人體良好的聲阻抗匹配特性，被認(rèn)為是傳統(tǒng)壓電塊體超聲換能器的一種理想替代技術(shù)，并且在水下超聲成像和醫(yī)學(xué)超聲成像領(lǐng)域得到了廣泛的研究，因此研制能夠滿足水下應(yīng)用要求并具備寬頻帶特性的CMUT至關(guān)重要。
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，中北大學(xué)和中國工程物理研究院電子工程研究所的研究人員合作設(shè)計(jì)了一款寬頻帶CMUT，可用于主動(dòng)探測(cè)與其自身相距20 cm以上的物體，這項(xiàng)研究為后期高密度CMUT陣列的設(shè)計(jì)、封裝及水下探測(cè)提供了參考。相關(guān)研究成果以“電容式微機(jī)械超聲換能器的水下收發(fā)性能”為題發(fā)表在《微納電子技術(shù)》期刊上。
該研究設(shè)計(jì)的CMUT電容單元剖面結(jié)構(gòu)如圖1所示，從上到下依次為金屬鋁上電極、氧化硅絕緣層、絕緣體上的硅振動(dòng)薄膜、真空腔、氧化硅隔離層、硅襯底和金屬鋁下電極。研究人員首先對(duì)CMUT進(jìn)行水密封裝，隨后利用阻抗分析儀對(duì)封裝后的CMUT的C-V特性進(jìn)行測(cè)試，并建立了水下超聲實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，用于對(duì)CMUT的發(fā)射和接收性能進(jìn)行測(cè)試與分析。
CMUT的封裝
劃片后的單個(gè)CMUT的尺寸為8.8 mm × 8.8 mm。研究人員使用導(dǎo)電膠將芯片底部粘接在印刷電路板（PCB）上，從而使芯片的下電極與PCB焊盤電氣互連，再通過PCB內(nèi)部連接線將芯片下電極引至另一焊盤后接外部導(dǎo)線，芯片頂部的焊點(diǎn)通過金絲引線鍵合連接至PCB焊盤后接外部導(dǎo)線，以便測(cè)試CMUT的電學(xué)性能以及收發(fā)特性，圖2為CMUT的PCB封裝示意圖。
將PCB封裝后的CMUT進(jìn)行二次聚氨酯封裝，考慮到硅油耦合聚氨酯封裝工藝的復(fù)雜性，該研究采用了聚氨酯直接封裝的方式，使其具有水密特性，進(jìn)而完成水中的收發(fā)測(cè)試與性能評(píng)估。CMUT的二次封裝結(jié)構(gòu)如圖3所示，圖4為二次封裝后的CMUT實(shí)物圖，其中圖4（a）展示了CMUT的上表面，圖4（b）展示了其側(cè)面。
CMUT性能測(cè)試與分析
研究人員測(cè)試了封裝后的CMUT的C-V特性、發(fā)送電壓響應(yīng)級(jí)、接收靈敏度以及回波信號(hào)特性。測(cè)試結(jié)果表明，封裝后的CMUT具有良好的C-V特性，電容變化量最大可達(dá)313.7 pF，其發(fā)送電壓響應(yīng)級(jí)最大值為163.83 dB@2 MHz，接收靈敏度最大值為-228.27 dB@1 MHz，因此其在水下環(huán)境具備良好的發(fā)射超聲波與接收超聲波的能力。
綜上所述，該研究設(shè)計(jì)、封裝的CMUT具有優(yōu)秀的寬頻帶特性，為未來CMUT更廣泛的水下探測(cè)應(yīng)用提供了支持，并且為后期CMUT高密度陣列的優(yōu)化設(shè)計(jì)以及封裝提供了理論和現(xiàn)實(shí)依據(jù)。
論文信息：DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2023.06.007
