3、寄生電容、CV特性、柵極電阻Rg測(cè)試技術(shù)

由前述知識(shí)可見，功率器件的寄生電容的測(cè)試，需要滿足下列幾點(diǎn)：

①由于寄生電容基本在pF級(jí)別至nF級(jí)別，測(cè)試頻率至少需要100kHz-1MHz，這些可由參數(shù)表找到；

②測(cè)試寄生電容時(shí)，用于測(cè)試的LCR或者阻抗分析儀至少需要2路直流電源，其中VDS需要電壓很高，由幾十V至幾百V，第三代半導(dǎo)體功率器件甚至需要幾千V；

③參數(shù)表中CV特性曲線，需要可變的VDS，因此DS電壓源需要可調(diào)電源。

具體幾個(gè)寄生電容極柵極電阻測(cè)試原理如下：

二、半導(dǎo)體功率器件CV特性測(cè)試痛點(diǎn)

現(xiàn)今，市場(chǎng)上功率器件CV特性測(cè)試儀器，普遍存在下列痛點(diǎn)：

1、進(jìn)口設(shè)備

進(jìn)口設(shè)備功能全、一體化集成度高、測(cè)試準(zhǔn)確，但是有如下缺點(diǎn)：

a) 價(jià)格昂貴，動(dòng)則幾十萬甚至上百萬的價(jià)格，一般企業(yè)很難承受。

b) 操作繁瑣，集成了太多功能加上大多英文化的操作界面，對(duì)于用戶操作并不友好。

c) 測(cè)試效率低，一臺(tái)設(shè)備可能完成動(dòng)態(tài)特性、靜態(tài)特性的全部測(cè)試，但是接線復(fù)雜、操作難度大，測(cè)試結(jié)果用時(shí)較長(zhǎng)， 測(cè)試效率無法保障。

2、國(guó)產(chǎn)設(shè)備

在進(jìn)口設(shè)備無法滿足用戶測(cè)試需求的情況下，國(guó)產(chǎn)設(shè)備應(yīng)運(yùn)而生，以相對(duì)功能單一、操作方便、價(jià)格低廉快速占領(lǐng)了一部分市場(chǎng)，但是，這些設(shè)備同樣也有如下缺點(diǎn)：

a） 體積龐大，大多數(shù)國(guó)產(chǎn)設(shè)備，由于沒有專業(yè)的電容測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，通常是用幾臺(tái)電源、一臺(tái)LCR、工控機(jī)或者PLC、機(jī)箱、 測(cè)試工裝等組合而成，因此體積過大，無法適用于自動(dòng)化產(chǎn)線快速生產(chǎn)。

b） 漏源電壓VDS過低，大多最高只能達(dá)到1200V左右，已無法滿足第三代半導(dǎo)體功率器件測(cè)試需求。

c） 測(cè)量精度低，由于缺乏專業(yè)電容測(cè)量經(jīng)驗(yàn)，加上過多的轉(zhuǎn)接，導(dǎo)致電容特別是pF級(jí)別的小電容無法達(dá)到合適的測(cè)量精度。

d） 測(cè)試效率低，同樣由于組合儀器過多，加上需用工控機(jī)或PLC控制過多儀器，導(dǎo)致測(cè)試單個(gè)器件時(shí)間過長(zhǎng)。

e） 擴(kuò)展性差，由于設(shè)備過多，各種儀器不同的編程協(xié)議，很難開放第三方接入以集成至客戶產(chǎn)線自動(dòng)化測(cè)試整體方案中。

三、同惠半導(dǎo)體功率器件CV特性解決方案

針對(duì)當(dāng)前測(cè)試痛點(diǎn)，同惠電子作為國(guó)產(chǎn)器件測(cè)量?jī)x器頭部企業(yè)，責(zé)無旁貸的擔(dān)負(fù)起進(jìn)口儀器國(guó)產(chǎn)化替代的責(zé)任，本著為客戶所想、為客戶分憂的精神，契合市場(chǎng)熱點(diǎn)及需求，及時(shí)推出了針對(duì)半導(dǎo)體功率器件CV特性的一體化、系列化解決方案。

單管或者多個(gè)MOSFET、IGBT測(cè)試解決方案

單管器件或者多個(gè)單管器件測(cè)試相對(duì)簡(jiǎn)單，同惠提供了TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀即可滿足基本測(cè)試要求。TH510系列半導(dǎo)體半導(dǎo)體C-V特性分析儀基本情況如下：