根據計算，Vbus等于400V時，動態導通電阻約為93mΩ；Vbus等于600V時，動態導通電阻約為95m歐姆；Vbus等于800V時，動態導通電阻約為101mΩ。相比在靜態條件下測試得到的導通電阻74mΩ，開關條件下隨Vbus電壓上升，器件的動態導通電阻退化非常有限，且阻值非常接近靜態導通電阻測試結果。
過去幾年里，行業對于GaN功率器件是否能夠突破小眾應用場景一直保持疑慮。1000V以上應用市場仍然屬于硅基IGBT和SiC功率器件。GaN大規模應用意味著它必須支持更寬泛的電壓電流范圍，更多的應用場景，以及更好的性價比。量芯微通過不懈努力，使平面結構GaN器件實現1200V高壓工作，其高壓GaN在開關和靜態特性上已經可以媲美相同規格的SiC器件。這將為GaN功率器件進一步拓展了新能源，電動汽車，電力電子等行業的應用場景，打開了新的可能性。
