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科學家著手錫烯材料研制 新材料將廣泛用于電子器件


  來源: 儀器儀表商情網 時間:2015-08-10 作者:
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儀器儀表商情網訊:近日,中美科學家攜手成功研制出由單層錫原子構成的厚度小于0.4納米的二維晶體——錫烯(Stanene)薄膜。理論預測稱,這種材料或能100%導電。研究人員希望下一步能盡快證實其優異的電學屬性。
       科學家們迄今研制出了多種二維材料,包括硅烯、鍺烯等。它們大都擁有優異的導電性,但從理論上來說,錫烯更勝一籌。2013年,斯坦福大學張守晟教授團隊預測,錫烯(Stanene)是錫的拉丁語名字(Stannum)石墨烯(Graphene)組合在一起而成的”,可能會成為世界上第一種能在常溫下達到100%導電率的超級材料,遠勝近年來熱議的石墨烯,可實現室溫下無能量損耗的電子輸運,在未來更高集成度的電子學器件應用方面具有重要的意義。

       但制備錫烯面臨諸多困難,首先,錫烯的晶體結構基于金剛石結構的灰錫,灰錫不是石墨那樣的層狀結構,因此無法用機械剝離的方法獲得單層錫烯。另外,體材料的灰錫在室溫下不能穩定存在。而且雖然穩定的灰錫厚薄膜能在銻化銦基底上生長,但在銻化銦基底上生長單層錫烯卻一直無法實現。
       近日,上海交通大學物理與天文系錢冬、賈金鋒教授領導的研究團隊與張首晟、清華大學徐勇教授合作,通過將錫原子平鋪在半導體碲化鉍表面上,成功制備出了由錫原子構成的厚度小于0.4納米的錫烯薄膜,并利用精確的原位表征技術證明了他們制備的新材料正是錫烯。

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