源測量單元(SMU)是一種可以提供電流或電壓，并測量電流和電壓的儀器。SMU用來對各種器件和材料進行I-V表征，是為測量非常靈敏的弱電流，同時提供或掃描DC電壓而設計的。但是，在擁有長電纜或其他高電容測試連接的測試系統(tǒng)中，某些SMU可能不能在輸出上容忍這樣的電容，從而產(chǎn)生有噪聲的讀數(shù)和/或振蕩。

泰克日前為Keithley 4200A-SCS參數(shù)分析儀推出兩款最新源測量單元(SMU)模塊。

4201-SMU中等功率SMU和4211-SMU高功率SMU(選配4200-PA前置放大器)可以進行穩(wěn)定的弱電流測量，包括在高測試連接電容的應用中也非常穩(wěn)定，例如使用非常長的三芯同軸電纜來連接器件的應用。與其他靈敏的SMU相比，4201-SMU和4211-SMU的最大電容指標已經(jīng)提高，這些SMU模塊用于可配置的Model 4200A-SCS參數(shù)分析儀，使用Clarius+軟件進行交互控制。

本文探討了4201-SMU和4211-SMU可以進行穩(wěn)定的弱電流測量的多種應用實例，包括測試：平板顯示器上的OLED像素器件、長電纜MOSFET傳遞特點、通過開關矩陣連接的FET、卡盤上的納米FET I-V測量、電容器泄漏測量。

實例1：平板顯示器上的OLED像素器件測試

在測量平板顯示器上的OLED像素器件的I-V曲線時，通常會通過開關矩陣把SMU連接到LCD探測站上，這時會采用非常長的三芯同軸電纜(一般在12-16m)。

圖1是采用Keithley S500測試系統(tǒng)的典型的平板顯示器測試配置。S500是一種自動參數(shù)測試儀，它可以量身定制，通常用來測試平板顯示器。對圖中所示的情況，S500中的SMU通過開關矩陣連接到探測站，然后探測卡再把測試信號連接到玻璃平板上的DUT。由于使用非常長的電纜進行連接，所以如果測量技術和儀器使用不當，就會導致弱電流測量不穩(wěn)定。

圖1. 使用Keithley S500測試系統(tǒng)測試平板顯示器的配置圖

如圖2示，在使用傳統(tǒng)SMU通過16m三芯同軸電纜連接到DUT上時，OLED器件兩個I-V曲線中的飽和曲線(橙色曲線)和線性曲線(藍色曲線)都不穩(wěn)定。但是，使用4211-SMU在DUT的漏極端子上重復這些I-V測量時，I-V曲線穩(wěn)定了，如圖3所示。

圖2.傳統(tǒng)SMU測得OLED飽和及線性I-V曲線  圖3. 4211-SMU測得OLED的飽和及線性I-V曲線

實例2：長電纜nMOSFET傳遞特點測試

可以使用兩個SMU生成n型MOSFET的Id-Vg曲線。一個SMU掃描柵極電壓，另一個SMU測量漏極電流。圖4是典型測試電路的電路示意圖，其中使用20m三芯同軸電纜把SMU連接到器件端子上。

圖4. 使用兩個SMU測量MOSFET的I-V特點

圖5顯示了使用兩個傳統(tǒng)SMU及使用兩個4211-SMU測量的傳遞特點。藍色曲線(使用兩個傳統(tǒng)SMU獲得)在曲線中顯示了振蕩，特別是在弱電流及改變電流范圍時。紅色曲線是使用兩個4211-SMU得到的電流測量，非常穩(wěn)定。

圖5. 使用傳統(tǒng)SMU和4211-SMU及20m三芯同軸電纜生成的nMOSFET Id-Vg曲線

實例3：通過開關矩陣連接的FET測試

測試通過開關矩陣連接的器件時，可能會面臨很大挑戰(zhàn)，因為要求額外的線纜。三芯同軸電纜用來把SMU連接到開關矩陣上，再從開關矩陣連接到DUT。圖6顯示了典型的電路圖，其中兩個SMU使用遠程傳感連接開關矩陣。使用遠程傳感(4線測量)而不是本地傳感(2線測量)，要求每個SMU連接兩條電纜，由于電纜是平行的，所以這會使SMU輸出的電容提高一倍。

圖6. 通過707B開關矩陣把SMU連接到DUT的簡化示意圖

在這種情況下，SMU使用2m電纜連接到開關矩陣的行(輸入)上；開關矩陣的列(輸出)使用5m電纜連接到配線架上。然后再使用另一條1m電纜從配線架連接到探頭，所以從一個SMU到DUT的三芯同軸電纜的總長度是：(2 x 2 m) + (2 x 5 m) + (1 m) = 15 m。除了三芯同軸電纜外，開關矩陣本身也增加了電容，在計算測試系統(tǒng)總電容時可能需要包括進去。

在測量通過開關矩陣連接的FET器件的輸出特點時，使用兩個4211-SMU較使用兩個傳統(tǒng)SMU的結果明顯改善。在這項測試中，其中一個SMU被偏置恒定柵極電壓，另一個SMU掃描漏極電壓，測量得到的漏極電流。使用兩個傳統(tǒng)SMU (藍色曲線)和兩個4211-SMU (紅色曲線)生成的漏極電流相對于漏極電壓關系曲線如圖7所示。