近年來，人們對短波紅外（在1000到2000納米之間）波段的成像需求不斷攀升。這些短波紅外傳感器在食品檢驗等行業至關重要，它們可以提供探測物體內部的能力，例如，可通過早期探測蘋果瘀傷，來防止整個蘋果變壞（如圖1a）。

類似地，可以探測物質反射的特征短波紅外波長（如圖1b）并防止有毒食品污染物進入供應鏈。這樣就可以利用這種非常經濟且高效的工具，來識別出復雜混合物中的少量污染物。例如，2015年的研究表明混雜了馬肉的牛肉可以利用可見光（515、595、650納米）到短波紅外（880納米）波段的四種波長進行快速識別（論文鏈接為：https://link.springer.com/article/10.1007/s11947-015-1470-7）。

圖1 短波紅外成像可以看到以往不可見的細節，如擦傷或表皮以下部分。我們比較了可見光（如圖a左圖）和短波紅外傳感器捕獲的圖像，結果發現只有短波紅外圖像可顯示出蘋果的瘀傷和缺陷（如圖a右圖）。同時不同化學物質以高度特定的波長吸收短波紅外波段，從而產生獨特的吸收光譜。因此利用短波紅外成像可識別食物中的污染物。圖b左圖由可見光傳感器拍攝（圖b右圖由短波紅外傳感器拍攝），圖b中從左至右的物質分別為鹽、糖和土豆淀粉。

事實上，高光譜成像技術在未來預防食品污染領域可能將發揮關鍵作用，因此，包括歐盟和美國在內的諸多政府已批準并正在資助該項目，以進一步評估其潛力。

短波紅外成像對安全、天文學等不同領域也有著重要意義，如從硅晶圓、平板顯示器檢測到藝術品修復，從藥物研發到自動駕駛汽車。2018年的研究表明，短波紅外成像甚至能夠可視化腦瘤并實現非侵入性檢測（論文鏈接為：https://doi.org/10.3390/s18020430）。

傳統短波紅外傳感器的功能

傳統情況下，短波紅外成像無法使用與可見光成像相同的傳感器技術。在可見光（400 nm – 700 nm）應用中，通常采用CMOS圖像傳感器，可以使可見光傳感器的像素間距迅速縮小，從而提供更高的分辨率。此外，CMOS還可實現數字輸出。然而，CMOS無法捕捉波長超過1100 nm的光。

為了克服這一問題，短波紅外成像采用了銦鎵砷（InGaAs）技術。然而傳統的InGaAs技術分辨率很低，并且凸點鍵合（bump bonding）的性質阻止了器件的進一步微型化（圖2）。此外，這種鍵合工藝可產生模擬輸出，而傳統的InGaAs短波紅外傳感器結構則阻止了可見光到達光電轉換層。

傳統InGaAs短波紅外傳感器不僅圖像分辨率很低，而且制造能夠同時捕捉可見光和短波紅外的高光譜相機成本也非常高。下文將仔細分析如何通過一種新的工藝技術來解決這三個關鍵的限制（分辨率、靈敏度和模擬輸出）。

圖2 左圖為傳統InGaAs短波紅外傳感器結構——讀出電路（ROIC）與bump連接；右圖為Cu-Cu連接，器件尺寸明顯縮小。

分辨率的提升

分辨率和微型化問題主要來自于InGaAs層（光電轉換發生）與讀出電路（硅層）之間傳統的bump連接，通過在光電二極管陣列（PDA）的III-V InGaAs / InP（銦砷化鎵、磷化銦）層與硅層間采用Cu-Cu雜化可以解決該問題。

2019年12月，這種新工藝方法由索尼研究團隊在2019年IEEE國際電子器件會議（International Electron Devices Meeting，IEDM）上首次提出，并于2020年2月被收錄于IEEE Xplore（論文鏈接為：https://ieeexplore.ieee.org/document/8993432）。這種方法為下一代短波紅外傳感器打開了更高像素密度的大門，并使打造更小尺寸和更高分辨率的傳感器成為可能。

使用傳統bump-bonding工藝的短波紅外芯片的像素間距約為10 μm。而第一代基于新技術的短波紅外傳感器可將像素間距縮小到5 μm，在同一空間內使像素數提高了四倍，以1/2-type（對角線8.2 mm）封裝創建SXGA（1296 × 1032）分辨率短波紅外傳感器，以1/4-type（對角線4.1 mm）封裝創建VGA（656 × 520）分辨率傳感器。

靈敏度的提升

同一傳感器如同時具有捕獲短波紅外和可見光的能力，可顯著降低需要高光譜成像應用的成本。減少InP層的厚度使該想法成為可能，InP層對于傳統傳感器來說是可見光穿透的關鍵限制因素。