IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導(dǎo)體場(chǎng)控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸進(jìn)阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?
縱觀全球市場(chǎng)，IGBT的尖端技術(shù)和專(zhuān)利大多掌握在歐美公司手中，近幾年來(lái)，國(guó)內(nèi)IGBT技術(shù)發(fā)展也很快，逐漸打破國(guó)外廠商壟斷局面。目前，IGBT已成為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在電動(dòng)汽車(chē)、新能源裝備、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。
走進(jìn)IGBT測(cè)試
IGBT 的芯片研發(fā)、模塊封裝、模塊應(yīng)用都需要有高性能的測(cè)試設(shè)備來(lái)保證產(chǎn)品質(zhì)量。航裕電源深入探索IGBT動(dòng)態(tài)和靜態(tài)特性測(cè)試，升級(jí)產(chǎn)品性能，融合多種編程體系，重新定義電源功能，讓IGBT測(cè)試擁有更便捷智能的體驗(yàn)。
動(dòng)態(tài)特性
IGBT的動(dòng)態(tài)特性主要是指開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程，使得IGBT 反復(fù)處于導(dǎo)通態(tài)，測(cè)試其開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中的延遲時(shí)間，上升時(shí)間，下降時(shí)間等。
IGBT 的端子為 C：集電極、G：柵極、E：發(fā)射極，一般在 G 和 E 之間接入‐15V~+15V范圍間電壓，驅(qū)動(dòng) IGBT 關(guān)導(dǎo)通或關(guān)斷通過(guò)正負(fù)電壓的交替，實(shí)現(xiàn) IGBT 的導(dǎo)通和關(guān)斷控制。
靜態(tài)特性
IGBT的靜態(tài)特性主要是指伏安特性、轉(zhuǎn)移特性，一般需給予一個(gè)長(zhǎng)時(shí)間的穩(wěn)定電環(huán)境，最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。
IGBT可按照電壓等級(jí)劃分，通常有300V、600V、900V、1200V、1700V、3300V，6500V等，其中，電動(dòng)車(chē)用 IGBT 模塊常用的典型型號(hào)為 650V、550A 的模塊，測(cè)試項(xiàng)目主要包括額定值測(cè)試、特性測(cè)試、耐久性及可靠性測(cè)試等。在額定值測(cè)試中，我們可以選用HY-PM系列可編程多功能直流電源、HY-S系列1U超薄型可編程直流電源、HY-HV系列可編程高壓直流電源、HY-HP可編程大功率直流電源等設(shè)備完成測(cè)試。
航裕電源多年來(lái)致力于IGBT測(cè)試，經(jīng)驗(yàn)豐富，這幾款機(jī)型，在大功率、高電壓、大電流的場(chǎng)景下，均有高性能穩(wěn)定表現(xiàn)，尤其以超高的精度和分辨率，備受客戶(hù)信賴(lài)與肯定。
IGBT測(cè)試電源產(chǎn)品
HY-HV系列 可編程高壓直流電源
■ 輸出電壓最大50kV
■ 高功率密度：?jiǎn)螜C(jī)最大20kW
■ 恒壓CV/恒流CC，CV/CC優(yōu)先可設(shè)
■ 支持前面板編程，無(wú)須上位機(jī)軟件控制
■ 上升和下降斜率可調(diào)（電壓/電流）
■ 電源輸出軟啟動(dòng)功能
■ 16 bits D/A 高精度轉(zhuǎn)換器，輸出精確
■ 20 bits A/D 高精度轉(zhuǎn)換器，回讀更準(zhǔn)
HY-S系列 1U超薄型可編程直流電源
■ 超薄1U，高度僅為：44.5mm
■ 體積：483 * 445.5 * 44.5 mm
■ 輕薄小巧，單手可提
■ 節(jié)省空間，更易于進(jìn)行系統(tǒng)集成
■ 三防：防霉菌、防潮濕、防煙霧
■ 耐振動(dòng)、強(qiáng)附著力
■ 耐冷熱沖擊、耐老化、耐輻射、耐臭氧腐蝕
■ 輸出電壓最大1500V
