近年來，受全球經濟形勢的變化以及半導體產業周期的影響，半導體產品整體需求呈下降趨勢，尤其是消費電子等傳統領域，但與此同時，在我國國家政策的引導下，新能源等領域需求仍維持高速增長，以功率半導體為首的相關領域國產替代進程明顯加快。
目前，我國在低端功率半導體領域已實現較高國產化率，例如在硅器件的低壓SGT、高壓超結器件、IGBT及IGBT模塊等的技術、產品以及產能方面均取得了突破性進展。在SiC領域SBD達到國際先進水平，另外平面MOSFET也取得一定突破并進入量產階段，但在IGBT的高端應用和溝槽SiC MOSFET等領域技術實力仍有不足。考慮到功率半導體與其他半導體品類相比迭代周期較慢，這或將為我國廠商帶來難得的發展窗口期。
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